| Certificazione |
Micron Green StandardBuilt with sulfur resistant resistorsCE (Europe): EN 55032 Class B, RoHSUKCA (UK): SI 2016/1091 Class B and SI 2012/3032 RoHSFCC: CFR Title 47, Part 15 Class BUL/cUL: approval to UL-60950-1, 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 (2nd Edition); EN 60950-1 (2006) + A11:2009+ A1:2010 + A12:2011 + A2:2013BSMI (Taiwan): approval to CNS 13438 Class B and CNS 15663RCM (Australia, New Zealand): AS/NZS CISPR32 Class BKC RRA (Korea): approval to KN32 Class B, KN 35 Class BW.E.E.E.: compliance with EU WEEE directive 2012/19/ECTUV (Germany): approval to IEC60950/EN60950VCCI (Japan): 2015-04 Class BIC (Canada): ICES-003 Class BMorocco: approval to EN55032/EN55024 Class BUkrSEPRO (Ukraine): EN55032 Class B, IEC60950/EN60950, RoHS (Resolution 2017 No. 139) |
| Supporto S.M.A.R.T. |
Sì |
| Scrittura casuale (4KB) |
37000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Prodotti compatibili |
ThinkSystem |
| Intervallo temperatura di funzionamento |
0 – 70 °C |
| Componente per |
Server/workstation |
| Shock di non-funzionamento |
1500 G |
| Capacità SSD |
480 GB |
| Larghezza |
22 mm |
| Range di umidità di funzionamento |
5 – 95% |
| Latenza di scrittura |
42 µs |
| Consumo di energia (in lettura) |
2,5 W |
| Latenza di lettura |
170 µs |
| Altezza |
3,9 mm |
| Dimensione SSD |
M.2 |
| Interfaccia |
Serial ATA III |
| Profondità |
80 mm |
| Hot-swap |
Sì |
| Consumo di energia (in scrittura) |
3,1 W |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) |
3000000 h |
| Intervallo di temperatura |
-40 – 85 °C |
| Tipo memoria |
3D TLC NAND |
| Lettura casuale (4KB) |
95000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
